半導体 2nm/16Aを制する極低温エッチングの衝撃ーALEの現場課題から2030年の製造装置まで
最先端エッチング工程2nmプロセス以降、GAA(Gate-All-Around)構造や高アスペクト比の加工が必要な世代では、従来のような「ただ削る」手法から、「原子層レベルで制御し、形状を完璧に作り込む」手法へと進化しています。『次世代半導...
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