次世代実装

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AI半導体の性能を決めるのはパッケージだ!2026〜2030年に迫る“4大課題”と未来予測

はじめに半導体産業のこれまでは、性能向上を進めるのは、前工程でのトランジスタを小さくし密度を高める微細化が中心でした。しかし、2nm世代以降では、量子効果による電流漏れの増加や製造コストの急騰など、微細化の限界が明確になっています。こうした...
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【第4回】CoWoSとHBM不足の真因:TSMC・Intel・Samsungの覇権争いと2035年AIパッケージロードマップ

はじめにAI半導体市場は、生成AIの普及によって急速に拡大しています。世界中のデータセンターが高性能GPUを求めていますが、現在の供給不足は従来とは異なる要因で起きています。従来の半導体供給不足は、主に前工程の製造能力が原因でした。しかし現...
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ハイブリッド接合(Hybrid Bonding)とは?半導体3D積層の原理からCu-Cu接続の課題、AIチップへの貢献まで徹底解説

はじめに半導体は、長く性能向上を支えてきた“微細化”は物理的にも経済的にも限界が見え始めました。そこで注目されているのが、チップを横ではなく「縦」に積む3D積層技術、そしてその中核となる技術の一つが「ハイブリッド接合(Hybrid Bond...
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ガラス基板(Glass Core)供給網の全貌と実用化の壁:主要メーカーの動向と歩留まりの課題

はじめにAIチップは年々大型化し、内部の配線も細かくなっています。その結果、これまで主流だった有機樹脂(ABF)基板では、熱で反りやすい微細配線が限界に近いといった問題があります。こうした課題に対して、後工程ではガラス基板への移行が進んでい...
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インターポーザ大型化の課題と実用動向ーAI/HPC時代に不可欠な基板材質の進化と量産化の最前線ー

はじめに半導体産業は、AIやHPC(High Performance Computing)の需要拡大に伴い、従来以上に高密度かつ大帯域のパッケージ技術が求められています。特にCPUやGPUとHBM(High Bandwidth Memory...
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フォトレジスト・CMPスラリー・銅張積層板 ― 先進後工程を支える3大材料技術の最前線

先進後工程で注目される「3大材料技術」とは?半導体産業は長年にわたり、微細化による性能向上を追求してきました。しかし、EUV(極端紫外線)露光技術を用いた7nmや5nmといった超微細領域では、製造コストの高騰や歩留まりの低下といった課題が顕...
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次世代半導体製造・先進後工程で進化するクリーンルームとは、具体例・技術革新ポイント13

はじめに:なぜクリーンルームが進化しているのか現在、2nm世代をターゲットとした次世代半導体製造や、先進後工程(Advanced Packaging、チップレット化やハイブリッドボンディングを含む工程)の開発が急速に進み、従来の300mmウ...
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先進後工程で重要度が高まる半導体テープ技術、 チップレット・FOWLP時代を支える高機能テープの進化

はじめに ― 「貼る材料」が先進半導体を支える半導体製造の工程では、ウェハの固定やチップの保護、搬送など、多くの場面で「テープ」が用いられます。従来は単に補助材料とみなされてましたが、ウェハの薄化、チップレット化、ファンアウト型パッケージ(...
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先進後工程(Advanced Packaging)の現在 ― Intel・TSMC・Samsung・ASEの強みと競争力

はじめに半導体業界では、ムーアの法則に基づきトランジスタの集積度向上が性能とコスト効率を高めてきました。しかし2nm世代に入り、微細化は物理的限界やコスト増に直面し、従来の手法では性能維持が困難になっています。そこで注目されるのが「先進後工...
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次世代半導体はSoCからChipletへ ― Rapidus/TSMC/Intel・・・ 主な企業の戦略解説

はじめに ― SoCとChipletの比較が重要な理由半導体チップの性能向上は、長年にわたり「微細化」によって支えられてきました。しかし、2nm世代を超えると、微細化だけでは性能とコストの両立が難しくなってきます。製造プロセスはますます複雑...
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