半導体基礎解説 次世代半導体製造装置における高精度位置決めと微振動対策の最前線 ~EUV露光装置を中心に、装置設計と部品開発の視点から~
EUV露光装置に求められる位置決め精度EUV(Extreme Ultraviolet)露光装置は、波長13.5nmの極端紫外線を用いて、2nm以下の微細パターンをウエハー上に形成する次世代リソグラフィ装置です。従来のArF液浸露光に比べて波...
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